WE-HCF SMD-Hochstrominduktivität

Merkmale:

  • Sättigungsstrom bis zu 75 A
  • Sehr geringe Kernverluste (MnZn)
  • Magnetisch geschirmt
  • Betriebstemperatur: –40 °C bis +125 °C
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Strombelastbarkeit bis 32 A

Anwendungen:

  • Speicherdrossel für hocheffiziente DC/DC Wandler
  • Besonders geeignet für Hochstrom-Aufwärtswandler
  • Filter für Audioanwendungen

Abmaße

Werte in inch
Bauform
A
(mm)		B
(mm)		C
(mm)		D
(mm)		E
(mm)		F
(mm)		G
(mm)		H
(mm)		I
(mm)		Kernmaterial
201321.521.014.03.59.02.52.53.02.0MnZn

Elektrische Werte

2013 
Artikel Nr. Kernmaterial
Induktivität
(µH)		Nennstrom
(A)		Sättigungsstrom
(A)		Widerstand
(mΩ)
7443630070 MnZn0.732.075.00.83
7443630140 MnZn1.431.560.01.08
7443630220 MnZn2.228.052.01.50
7443630310 MnZn3.126.045.02.09
7443630420 MnZn4.224.038.03.04
7443630550 MnZn5.522.033.04.00
7443630700 MnZn7.021.030.05.61
7443630860 MnZn8.617.025.07.16
7443631000 MnZn1016.023.07.96

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